RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
77
En -133% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3364
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link