RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link