RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link