RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2853
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link