RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link