RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3631
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link