RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2202
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link