RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3649
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link