RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link