RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link