RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
3635
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link