RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link