RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link