RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
166
Wokół strony 83% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
166
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
1107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link