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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
166
Por volta de 83% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
166
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
1107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
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Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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