RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link