RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link