RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
3701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link