RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
19.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link