RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link