RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
74
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1495
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link