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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
74
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
74
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1495
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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