Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 64

Por volta de 56% menor latência

Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.8 10.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.3 7.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 8500

Por volta de 2.26 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1668 2052

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns