RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
72
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
72
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
1593
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link