RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
72
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
1593
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link