RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4219
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link