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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,378.6
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
62
Por volta de -35% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
46
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
2660
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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