RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,378.6
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
62
Autour de -35% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
46
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
2660
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link