RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
62
Около -35% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
2660
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link