RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
64
Около 56% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
64
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link