RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link