RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2808
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link