AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->

Средняя оценка

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Средняя оценка

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 37

Около 27% меньшая задержка

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 9.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 37
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 16.0
Скорость записи, Гб/сек

9.2 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2272 2808

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K000MD44U 4GB

Kingston K000MD44U 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

модули RAM