RAM-Vergleich AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 37

Rund um 27% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 14.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.6 9.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2272 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns