RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link