RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
48
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
48
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
11.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link