RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2111
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link