RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
50
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2111
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link