RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2876
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link