RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3245
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link