TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 53

Около -96% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.0 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 27
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 17.3
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 2735

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

модули RAM

AMD R748G2400U2S 8GB

AMD R748G2400U2S 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

модули RAM