RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
2984
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link