RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1990
2984
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Porównanie pamięci RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link