RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2018
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link