RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link