RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link