RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3010
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link