RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3793
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link