RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2441
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link