RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
53
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
53
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2524
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link